日益成熟的半導體工藝技術(shù)和同步高良率目標不僅需要改進(jìn)晶圓加工設備和操作參數，而且對潔凈中可能存在的氣態(tài)分子污染物（AMC）的監測和控制也提出了越來(lái)越高的要求。隨著(zhù)半導體制造工藝接近摩爾極限：納米（nm）蝕刻尺寸和更高密度的晶體管密度，潔凈室空氣中的各種“雜項”分子如果沉積在晶圓表面上可能會(huì )影響工藝效果。同時(shí)，由于現代技術(shù)的復雜性和工序多，這些影響會(huì )不斷地傳遞和放大，最終體現在晶圓良率上。

 

　　也就是說(shuō)，AMC監測技術(shù)也需要跟上半導體工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步和追求。根據文獻報道和相關(guān)研究，為了盡量減少AMC對工藝良率的影響，潔凈室關(guān)鍵AMC濃度需要控制在萬(wàn)億級（pptv）。在實(shí)現高靈敏度的同時(shí)，快速響應也是一項重要指標，以提高樣品測量通量，并在A(yíng)MC濃度異常時(shí)盡快報警，避免或減少對工藝和晶圓的負面影響屈服。

　　AMC監測可覆蓋幾大類(lèi)AMC，同時(shí)獲得秒響應和pptv檢出限。高分辨率TOF飛行時(shí)間質(zhì)譜的匹配全譜記錄使vocusciTOF具備數據回溯分析的功能，這在半導體需要控制AMC類(lèi)型不斷擴展的前提下尤為重要。

　　AMC監測針對不同半導體環(huán)境中各類(lèi)AMC的實(shí)時(shí)、高靈敏度、高精度監控案例的革命性解決方案。儀器軟硬件集成度高，運維成本極低，未來(lái)派上用場(chǎng)的高機動(dòng)性，可以解決現有市場(chǎng)上其他儀器的諸多痛點(diǎn)，也為業(yè)主提供投資回報在提高整體良率、AMC事件預警、實(shí)時(shí)故障排除以及后續案例分析總結等方面。